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中国科学院金属研究所胡卫进研究员到我校学术交流

责任编辑:材料学院新闻中心作者:发布时间:2019-12-11点击次数:

 2019127日,中国科学院金属研究所胡卫进研究员到我校进行学术交流,并做题为《基于铁电铁磁薄膜的新型信息存储器件》的学术报告。报告由杨建林副院长主持,参加人员有杨绍斌院长、材料学院师生、矿物材料与清洁转化研究院教师、以及学校相关学科的师生。

 新兴的铁电存储器包括铁电二极管,隧道结,异质结构和铁电晶体管等,它们由电场驱动,具有较低的功耗和较高的数据存储密度,在信息存储和光电探测等方面的可能应用。胡卫进研究员介绍了课题组最近在该领域取得的重要工作,包括在BiFeO3铁电遂道结中实现巨大的隧道电阻开关比和光读取,在半导体/铁电异质结中实现室温庞大持续光电导,在多铁性隧道结中实现电压辅助的磁矩180度翻转等等。

 报告内容引起了师生的浓厚兴趣。报告结束后,胡老师与我校师生就相关问题进行了深入讨论。同时,胡老师分享了自己的科研心得,做科研一定要坚持,不要忽略科研过程中的意外发现。最后,勉励大家,开始的时候解决方案总是很复杂,绝大部分人都停止了。但如果你锲而不舍,最后总会提出一个简单优雅的方案要坚信未来,你现在做的星星点点可连成美丽画卷